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                铁硅铝与间隙铁氧化比较

                日期:2018-11-16 标签:2013 来源:铂科

                铁硅铝和间」隙铁氧体是两种常用的材质,在软饱和方面,间隙铁氧体必须在下降曲线的安全区进█行设计。铁硅被设计在受控制的下降曲线△范围中,这样就能够提供好的容错特性,特别是在高功率时←候。

                在磁通量比较方面:假设特◣定的50%下降设计点,铁硅铝(Kool Mμ)的磁通¤量是间隙铁氧体的2倍以上, 这使磁芯的尺寸可缩小35%,设计时可以把磁芯的尺寸缩小30%35%。软饱和曲线使铁硅设计本身※具有容错能力,而间隙铁氧体则没有。铁氧体磁能力随温度▼变化,而铁硅保持相对稳定。很多铁氧体供应〗商或者厂家会给出产品在25℃到100℃不同环境下材质的差异。由于铁】硅铝的材质及结构和间隙铁氧体不同,随◎着温度改变,变⊙化不会很大。

                在边缘损耗〗方面:铁硅不会发生边缘损耗,而间隙铁氧体有很大的边缘损耗。铁芯的间隙部分随着温度的增加损耗会增加。铁硅铝(Kool Mμ)也有间隙,但是这是均匀的分布式间隙,因为这个形式,在高功率≡的应用上会更好ㄨ。

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